Oldal nyomtatása
PMV164ENEAR
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 1.6 A, 0.218 ohm, TO-236AB, Surface Mount
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
3100 Van Raktáron
3000 Már most lefoglalhat készletet
EXPRESSZ kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Rendeljen legkésőbb 17:00-ig
INGYENES standard kiszállítás
0,00 Ft és annál nagyobb értékű megrendelés esetén
A pontos kiszállítási időt a pénztárnál számítjuk ki
| Mennyiség | |
|---|---|
| 5+ | 142,560 Ft |
| 50+ | 87,075 Ft |
| 100+ | 39,569 Ft |
| 500+ | 37,584 Ft |
| 1500+ | 35,600 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each (Supplied on Cut Tape)
Legalább: 5
Több: 5
712,80 Ft (ÁFA nélkül)
Cikkszám /Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóNEXPERIA
Gyártói cikkszámPMV164ENEAR
Rendelési kód3132378
Műszaki adatlap
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id1.6A
Drain Source On State Resistance0.218ohm
Transistor Case StyleTO-236AB
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation640mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Termékáttekintés
PMV164ENEAR is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Typical applications include relay driver, high-speed line driver, low-side load switch, and switching circuits.
- Logic-level compatible
- ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2kV HBM (class H2)
- AEC-Q101 qualified
- Drain-source voltage is 60V max at Tj = 25°C
- Gate-source voltage is 20V maximum
- Drain current is 1.6A max at VGS = 10V; Tamb = 25°C
- Peak drain current is 6.5A max at Tamb = 25°C; single pulse; tp ≤ 10µs
- Source current is 1.3A max at Tamb = 25°C
- Total power dissipation is 640mW max at Tamb = 25°C
- Ambient temperature range from -55 to 175°C
Figyelmeztetések
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Műszaki adatok
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.6A
Transistor Case Style
TO-236AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
640mW
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.218ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Műszaki dokumentumok (2)
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.000002
Termékkövethetőség