Oldal nyomtatása
PMV164ENEAR
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 1.6 A, 0.218 ohm, TO-236AB, Surface Mount
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
3100 Van Raktáron
3000 Már most lefoglalhat készletet
EXPRESSZ kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Rendeljen legkésőbb 17:00-ig
INGYENES standard kiszállítás
0,00 Ft és annál nagyobb értékű megrendelés esetén
A pontos kiszállítási időt a pénztárnál számítjuk ki
| Mennyiség | |
|---|---|
| 100+ | 39,569 Ft |
| 500+ | 37,584 Ft |
| 1500+ | 35,600 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each (Supplied on Cut Tape)
Legalább: 100
Több: 5
5 351,90 Ft (ÁFA nélkül)
Erre a termékre 1 395,00 Ft összegű újratekercselési díjat számolunk fel
Cikkszám /Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóNEXPERIA
Gyártói cikkszámPMV164ENEAR
Rendelési kód3132378RL
Műszaki adatlap
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id1.6A
On Resistance Rds(on)0.164ohm
Drain Source On State Resistance0.218ohm
Transistor Case StyleTO-236AB
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation640mW
Power Dissipation Pd640mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Termékáttekintés
PMV164ENEAR is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Typical applications include relay driver, high-speed line driver, low-side load switch, and switching circuits.
- Logic-level compatible
- ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2kV HBM (class H2)
- AEC-Q101 qualified
- Drain-source voltage is 60V max at Tj = 25°C
- Gate-source voltage is 20V maximum
- Drain current is 1.6A max at VGS = 10V; Tamb = 25°C
- Peak drain current is 6.5A max at Tamb = 25°C; single pulse; tp ≤ 10µs
- Source current is 1.3A max at Tamb = 25°C
- Total power dissipation is 640mW max at Tamb = 25°C
- Ambient temperature range from -55 to 175°C
Figyelmeztetések
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Műszaki adatok
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.164ohm
Transistor Case Style
TO-236AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
640mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.6A
Drain Source On State Resistance
0.218ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
Power Dissipation Pd
640mW
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Műszaki dokumentumok (2)
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.000002
Termékkövethetőség