Oldal nyomtatása
IXFK30N100Q2
Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 30 A, 0.4 ohm, TO-264, Through Hole
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
Továbbiakban nem gyártják
Termékinformáció
GyártóIXYS SEMICONDUCTOR
Gyártói cikkszámIXFK30N100Q2
Rendelési kód7347960
Műszaki adatlap
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source On State Resistance0.4ohm
Transistor Case StyleTO-264
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation735W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Termékáttekintés
The IXFK30N100Q2 is a HiPerFET™ N-channel enhancement-mode Power MOSFET features avalanche rated and fast intrinsic rectifier.
- Double metal process for low gate resistance
- International standard package
- UL94V-0 Flammability rating
- Avalanche energy and current rated
- High dV/dt, low intrinsic Rg, low Qg and low trr
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Alkalmazások
Industrial, Power Management
Műszaki adatok
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
Transistor Case Style
TO-264
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
735W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
1kV
Drain Source On State Resistance
0.4ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Műszaki dokumentumok (2)
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Germany
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Germany
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Meghatározásra vár
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.013517