Oldal nyomtatása
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
Továbbiakban nem raktározzuk
Termékinformáció
GyártóSTMICROELECTRONICS
Gyártói cikkszámSTB28NM50N
Rendelési kód2098134
Műszaki adatlap
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id21A
Drain Source On State Resistance0.135ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation150W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Alternatíva a következőhöz: STB28NM50N
1 terméktalálat
Termékáttekintés
The STB28NM50N is a MDmesh™ II N-channel Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh™ technology. The device associates a vertical structure with strip layout yield to lowest ON-resistance and gate charge. It is suitable for the most demanding high efficiency converters.
- 100% Avalanche tested
- Low input capacitance and gate charge
- Low gate input resistance
Alkalmazások
Power Management, Industrial
Műszaki adatok
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
21A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
150W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.135ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Műszaki dokumentumok (2)
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.001633